מספר מוצר של יצרן:
IMZ120R350M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMZ120R350M1HXKSA1-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
מלאי:
253 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801695
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMZ120R350M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
350mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.7V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.3 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+23V, -7V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
182 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-4-1
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IMZ120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001808378
2156-IMZ120R350M1HXKSA1-448
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI80N06S207AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
