מספר מוצר של יצרן:
IPD80R1K4P7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD80R1K4P7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
מלאי:
18272 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801694
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD80R1K4P7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
250 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-2
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD80R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1DKR
IPD80R1K4P7ATMA1TR
IPD80R1K4P7ATMA1CT
SP001422564
2156-IPD80R1K4P7ATMA1
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
