מספר מוצר של יצרן:
IPP60R360P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R360P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12803624
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R360P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
555 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R360
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001606036
IPP60R360P7XKSA1-DG
448-IPP60R360P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP16N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
125
DiGi מספר חלק
STP16N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP15N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
600
DiGi מספר חלק
STP15N80K5-DG
מחיר ליחידה
2.03
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP22N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
IXFP22N60P3-DG
מחיר ליחידה
2.48
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP65R310CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
IRFS5620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPD60R400CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3