מספר מוצר של יצרן:
IPD60R400CEATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD60R400CEATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12803628
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD60R400CEATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 300µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
700 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPD60R400CEATMA1
IPD60R400CEATMA1CT
IPD60R400CEATMA1DKR
SP001276022
INFINFIPD60R400CEATMA1
IPD60R400CEATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD60R380C6ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
46080
DiGi מספר חלק
IPD60R380C6ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIHD14N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1269
DiGi מספר חלק
SIHD14N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.86
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD60R400CEAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
14883
DiGi מספר חלק
IPD60R400CEAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP120P04P4L03AKSA1
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
