מספר מוצר של יצרן:
IPP65R310CFDXKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R310CFDXKSA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
456 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803626
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R310CFDXKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ CFD2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 400µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R310
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPP65R310CFDXKSA2-DG
SP001987356
448-IPP65R310CFDXKSA2
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP13NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
649
DiGi מספר חלק
STP13NM60N-DG
מחיר ליחידה
2.01
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP400N80Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
850
DiGi מספר חלק
FCP400N80Z-DG
מחיר ליחידה
1.50
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP380N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FCP380N60-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS5620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPD60R400CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
IPP120P04P4L03AKSA1
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3