מספר מוצר של יצרן:
IPP60R099P6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R099P6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12804170
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R099P6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
37.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.21mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3330 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
278W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R099
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP60R099P6XKSA1
SP001114650
IFEINFIPP60R099P6XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPZ60R099P6FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
222
DiGi מספר חלק
IPZ60R099P6FKSA1-DG
מחיר ליחידה
3.27
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
R6035VNX3C16
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
925
DiGi מספר חלק
R6035VNX3C16-DG
מחיר ליחידה
3.19
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
R6027YNX3C16
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
R6027YNX3C16-DG
מחיר ליחידה
2.44
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
IPP037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
