מספר מוצר של יצרן:
IPZ60R099P6FKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPZ60R099P6FKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
מלאי:
222 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802629
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPZ60R099P6FKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
37.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.21mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3330 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
278W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IPZ60R099
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001313882
2156-IPZ60R099P6FKSA1
ROCINFIPZ60R099P6FKSA1
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF3205ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRF6215STRRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AUIRFS3306
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
