מספר מוצר של יצרן:
IPP100N10S305AKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP100N10S305AKSA2-DG
תיאור:
MOSFET_(75V 120V(
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
13269171
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP100N10S305AKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 240µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
176 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11570 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005549658
448-IPP100N10S305AKSA2
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMBG65R050M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRFB3077PBFXKMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUC120N04S6N008ATMA1
MOSFET_(20V 40V)