מספר מוצר של יצרן:
IMBG65R050M2HXTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMBG65R050M2HXTMA1-DG
תיאור:
SILICON CARBIDE MOSFET
תיאור מפורט:
מלאי:
13269173
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMBG65R050M2HXTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005917208
448-IMBG65R050M2HXTMA1DKR
448-IMBG65R050M2HXTMA1CT
448-IMBG65R050M2HXTMA1TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFB3077PBFXKMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUC120N04S6N008ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
IPB70N10S312ATMA2
MOSFET_(75V 120V(