IRFB3077PBFXKMA1
מספר מוצר של יצרן:

IRFB3077PBFXKMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFB3077PBFXKMA1-DG

תיאור:

TRENCH 40<-<100V
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904

מלאי:

13269178
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFB3077PBFXKMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
220 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9400 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
370W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-904
חבילה / מארז
TO-220-3

מידע נוסף

שמות אחרים
SP005732682
448-IRFB3077PBFXKMA1
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IAUC120N04S6N008ATMA1

MOSFET_(20V 40V)

infineon-technologies

IPB70N10S312ATMA2

MOSFET_(75V 120V(

infineon-technologies

IMZA75R020M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET