מספר מוצר של יצרן:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPN60R1K5PFD7SATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
מלאי:
2970 יחידות חדשות מק originales במלאי
12810881
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPN60R1K5PFD7SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™PFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
169 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-3
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
IPN60R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPN60R1K5PFD7SATMA1CT
448-IPN60R1K5PFD7SATMA1TR
448-IPN60R1K5PFD7SATMA1DKR
SP004748876
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPT60R040S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPS60R210PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
