מספר מוצר של יצרן:
IPS60R210PFD7SAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPS60R210PFD7SAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
306 יחידות חדשות מק originales במלאי
12810884
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPS60R210PFD7SAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™PFD7
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 240µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1015 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
64W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPS60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPS60R210PFD7SAKMA1
2156-IPS60R210PFD7SAKMA1
SP003235784
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMZA65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPS60R600PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3
IMZA65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
