מספר מוצר של יצרן:
IPT60R040S7XTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT60R040S7XTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
מלאי:
12810882
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT60R040S7XTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™S7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
40mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 790µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 12 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3127 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
245W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-2
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IPT60R040
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPT60R040S7XTMA1CT
448-IPT60R040S7XTMA1TR
448-IPT60R040S7XTMA1DKR
SP003393022
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPS60R210PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
IMZA65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
