מספר מוצר של יצרן:
IPI80N06S3L-08
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI80N06S3L-08-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 105W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12801146
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI80N06S3L-08 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.9mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 55µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
134 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6475 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
105W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI80N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI80N06S3L08X
IFEINFIPI80N06S3L-08
IPI80N06S3L-08-DG
IPI80N06S3L-08IN
SP000088131
IPI80N06S3L08XK
2156-IPI80N06S3L-08-IT
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
TP0606N3-G-P002
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
