מספר מוצר של יצרן:
TP0606N3-G-P002
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
TP0606N3-G-P002-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 320mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
מלאי:
12801155
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TP0606N3-G-P002 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
320mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
TP0606
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
IPD90N06S405ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
IPL65R190E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON