IPD90N06S405ATMA2
מספר מוצר של יצרן:

IPD90N06S405ATMA2

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPD90N06S405ATMA2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

מלאי:

12801157
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPD90N06S405ATMA2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD90

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPD90N06S405ATMA2TR
IPD90N06S405ATMA2-DG
2156-IPD90N06S405ATMA2
SP001028730
448-IPD90N06S405ATMA2DKR
448-IPD90N06S405ATMA2CT
INFINFIPD90N06S405ATMA2
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPL65R190E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON

infineon-technologies

IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPB80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPB25N06S3-25

MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3