IPB180P04P403ATMA2
מספר מוצר של יצרן:

IPB180P04P403ATMA2

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPB180P04P403ATMA2-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

מלאי:

1836 יחידות חדשות מק originales במלאי
12948674
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPB180P04P403ATMA2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS®-P2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 410µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
250 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
17640 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-7-3
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
IPB180

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPB180P04P403ATMA2TR
SP002325764
448-IPB180P04P403ATMA2DKR
448-IPB180P04P403ATMA2CT
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPB120P04P404ATMA2

MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

infineon-technologies

IPD90P03P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

infineon-technologies

IPD50P03P4L11ATMA2

MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

infineon-technologies

IPP80P03P4L04AKSA2

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3