מספר מוצר של יצרן:
IPD50P03P4L11ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50P03P4L11ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
19920 יחידות חדשות מק originales במלאי
12948678
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50P03P4L11ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS®-P2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 85µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3770 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPD50P03P4L11ATMA2TR
SP002325738
448-IPD50P03P4L11ATMA2CT
448-IPD50P03P4L11ATMA2DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP80P03P4L04AKSA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
