מספר מוצר של יצרן:
IPP80P03P4L04AKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP80P03P4L04AKSA2-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
829 יחידות חדשות מק originales במלאי
12948679
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP80P03P4L04AKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS®-P2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 253µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
160 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
137W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80P03
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP002325792
448-IPP80P03P4L04AKSA2
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
DMNH4011SK3-13
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
