מספר מוצר של יצרן:
IPB120N10S405ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB120N10S405ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
6796 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800669
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB120N10S405ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 120µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
91 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6540 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPB120N10S405ATMA1CT
INFINFIPB120N10S405ATMA1
448-IPB120N10S405ATMA1DKR
IPB120N10S405ATMA1-DG
SP001102592
448-IPB120N10S405ATMA1TR
2156-IPB120N10S405ATMA1
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPB100N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPI60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
