BSP123L6327HTSA1
מספר מוצר של יצרן:

BSP123L6327HTSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSP123L6327HTSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

מלאי:

12800677
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSP123L6327HTSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
370mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
70 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.79W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
BSP123INCT-DG
BSP123L6327HTSA1DKR
BSP123
BSP123INTR
BSP123INDKR-DG
BSP123INTR-DG
BSP123L6327HTSA1TR
BSP123 L6327-DG
BSP123L6327-DG
BSP123L6327INCT-DG
BSP123L6327
BSP123L6327XT
BSP123L6327INDKR-DG
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INDKR
BSP123L6327INTRINACTIVE
BSP123INCT
BSP123L6327INCTINACTIVE
BSP123 L6327
BSP123L6327TR
SP000089202
BSP123L6327HTSA1CT
BSP123L6327TR-DG
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPN60R3K4CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223

infineon-technologies

BSS169H6906XTSA1

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

IPP084N06L3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

infineon-technologies

IPD22N08S2L50ATMA1

MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3