מספר מוצר של יצרן:
IPD100N06S403ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD100N06S403ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12800671
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD100N06S403ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
128 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD100N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD100N06S4-03-DG
INFINFIPD100N06S403ATMA1
SP000415576
IPD100N06S4-03
IPD100N06S403ATMA1TR
2156-IPD100N06S403ATMA1
2156-IPD100N06S403ATMA1-ITTR-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD100N06S403ATMA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2876
DiGi מספר חלק
IPD100N06S403ATMA2-DG
מחיר ליחידה
0.87
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB100N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPI60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
BSP123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
