מספר מוצר של יצרן:
IMW120R020M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R020M1HXKSA1-DG
תיאור:
SIC DISCRETE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
275 יחידות חדשות מק originales במלאי
12976343
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R020M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
98A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26.9mOhm @ 41A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.2V @ 17.6mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
83 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+20V, -5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3460 nF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005448291
448-IMW120R020M1HXKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMZA120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IPB042N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IPB026N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
