מספר מוצר של יצרן:
IPB026N10NF2SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB026N10NF2SATMA1-DG
תיאור:
TRENCH >=100V
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
44 יחידות חדשות מק originales במלאי
12976346
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB026N10NF2SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
StrongIRFET™ 2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
162A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 169µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
154 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7300 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB026N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPB026N10NF2SATMA1DKR
448-IPB026N10NF2SATMA1TR
SP005571706
448-IPB026N10NF2SATMA1CT
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IPF024N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IWM023N08NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V