מספר מוצר של יצרן:
IMW120R014M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R014M1HXKSA1-DG
תיאור:
SIC DISCRETE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 127A (Tc) 455W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
258 יחידות חדשות מק originales במלאי
12976348
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R014M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
127A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.2V @ 23.4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+20V, -5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4580 nF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
455W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IMW120R014M1HXKSA1
SP005425449
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPF024N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IWM023N08NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V
IPL65R065CFD7AUMA1
HIGH POWER_NEW
