מספר מוצר של יצרן:
IMW120R040M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R040M1HXKSA1-DG
תיאור:
SIC DISCRETE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
238 יחידות חדשות מק originales במלאי
12976379
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R040M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.2V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+20V, -5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1620 nF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IMW120R040M1HXKSA1
SP005424429
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IWM013N06NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUA250N04S6N007EAUMA1
MOSFET_(20V 40V)
IPT60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
