בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BUZ30AH3045AATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BUZ30AH3045AATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12801046
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BUZ30AH3045AATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
BUZ30
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
BUZ30A H3045A
גיליונות נתונים
BUZ30AH3045AATMA1
גיליון נתונים של HTML
BUZ30AH3045AATMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
BUZ30AL3045AINTR-DG
BUZ30AH3045AATMA1CT
BUZ30AL3045AINDKR-DG
BUZ30AH3045AINCT-DG
BUZ30AL3045AINCT-DG
BUZ30A H3045A
BUZ30AH3045AINTR-DG
INFINFBUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AL3045AINTR
BUZ30AH3045AINTR
2156-BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1DKR
BUZ30AH3045AINDKR-DG
BUZ30A L3045A
BUZ30AH3045AATMA1TR
BUZ30AL3045AINCT
SP000736082
BUZ30AH3045AINCT
SP000102176
BUZ30A L3045A-DG
BUZ30AL3045AXT
BUZ30AL3045AINDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFB4620PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
724
DiGi מספר חלק
IRFB4620PBF-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FQB19N20LTM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FQB19N20LTM-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD90N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
BSS87H6327FTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4