מספר מוצר של יצרן:
FQB19N20LTM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB19N20LTM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 21A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12838042
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB19N20LTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB19N20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQB19N20LTM-DG
FQB19N20LTMCT
FQB19N20LTMDKR
FQB19N20LTMTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQB9N50TM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQP9P25
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3
FCPF260N60E-F152
MOSFET N-CH 600V 15A TO220F