מספר מוצר של יצרן:
IRFB4620PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB4620PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
724 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803605
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB4620PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
72.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1710 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
144W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB4620
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001563998
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR3711ZTRPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IPP60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
IPP120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
