מספר מוצר של יצרן:
IPP120N10S405AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP120N10S405AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12803611
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP120N10S405AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 120µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
91 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6540 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP120N10S405AKSA1
448-IPP120N10S405AKSA1
IPP120N10S405AKSA1-DG
SP001102616
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IAUC100N10S5N040ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12956
DiGi מספר חלק
IAUC100N10S5N040ATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6726MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IPP90N06S404AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
