מספר מוצר של יצרן:
G60N10T
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G60N10T-DG
תיאור:
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
86 יחידות חדשות מק originales במלאי
12999086
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G60N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
146 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3970 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
132W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G60N10T
4822-G60N10T
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM60NC196CI
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SIR5623DP-T1-RE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER