מספר מוצר של יצרן:
SIR5623DP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR5623DP-T1-RE3-DG
תיאור:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12999093
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
YtI8
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR5623DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.6V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1575 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR5623
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIR5623DP-T1-RE3CT
742-SIR5623DP-T1-RE3DKR
742-SIR5623DP-T1-RE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB60CH
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM240N03CX6
30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
