מספר מוצר של יצרן:

TSM4NB60CH

Product Overview

יצרן:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

TSM4NB60CH-DG

תיאור:

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

תיאור מפורט:

N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251S (IPAK SL)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12999131

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TSM4NB60CH מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Taiwan Semiconductor

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

600 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

14.5 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

500 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

50W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-251S (IPAK SL)

חבילה / מארז

TO-251-3 Stub Leads, IPak

מספר מוצר בסיסי

TSM4

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

1801-TSM4NB60CH

חבילה סטנדרטית

3,750

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

TSM240N03CX6

30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

IXFP13N60X3

DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO22

infineon-technologies

IMW120R007M1HXKSA1

SIC DISCRETE

TSM1NB60CP

600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER