מספר מוצר של יצרן:
G1002L
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G1002L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
תיאור מפורט:
N-Channel 2A (Tc) 1.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3L
מלאי:
60000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000649
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G1002L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3L
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G1002LTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN3060LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
DMN2451UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMT10H032LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
