מספר מוצר של יצרן:
DMN2451UFB4Q-7B
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN2451UFB4Q-7B-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
מלאי:
135 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000654
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN2451UFB4Q-7B מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
32 pF @ 16 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
660mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
X2-DFN1006-3
חבילה / מארז
3-XFDFN
מספר מוצר בסיסי
DMN2451
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN2451UFB4Q-7BCT
31-DMN2451UFB4Q-7BTR
31-DMN2451UFB4Q-7BDKR
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN2451UFB4Q-7R
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN2451UFB4Q-7R-DG
מחיר ליחידה
0.02
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN2451UFB4-7B
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN2451UFB4-7B-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT10H032LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMTH10H015SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMN6066SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
