DMT10H032LSS-13
מספר מוצר של יצרן:

DMT10H032LSS-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT10H032LSS-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO

מלאי:

13000656
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMT10H032LSS-13 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
683 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
DMT10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMT10H032LSS-13TR
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMTH10H015SK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

diodes

DMN6066SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

diodes

DMTH10H2M5STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMP2037U-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3