מספר מוצר של יצרן:
G080P06M
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G080P06M-DG
תיאור:
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263
מלאי:
842 יחידות חדשות מק originales במלאי
12993026
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G080P06M מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
195A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
186 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
15870 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
294W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G080P06MDKR
3141-G080P06MTR
3141-G080P06MCT
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
G1K3N10G
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
G1K3N10G
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
