DMTH47M2LFVWQ-7
מספר מוצר של יצרן:

DMTH47M2LFVWQ-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMTH47M2LFVWQ-7-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.9W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

מלאי:

12993032
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMTH47M2LFVWQ-7 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.6A (Ta), 49A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
881 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.9W (Ta), 37.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMTH47

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMTH47M2LFVWQ-7
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
nexperia

PSMN1R8-80SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

nexperia

PSMN2R3-100SSEJ

APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE

nexperia

PSMN2R0-100SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

diodes

DMN4060SVTQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TSOT26 T&R