PSMN2R3-100SSEJ
מספר מוצר של יצרן:

PSMN2R3-100SSEJ

Product Overview

יצרן:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics מספר חלק:

PSMN2R3-100SSEJ-DG

תיאור:

APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)

מלאי:

1118 יחידות חדשות מק originales במלאי
12993034
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

PSMN2R3-100SSEJ מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
255A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
160 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
17200 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
341W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LFPAK88 (SOT1235)
חבילה / מארז
SOT-1235
מספר מוצר בסיסי
PSMN2R3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
934661573118
5202-PSMN2R3-100SSEJTR
1727-PSMN2R3-100SSEJCT
1727-PSMN2R3-100SSEJDKR
1727-PSMN2R3-100SSEJTR
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
nexperia

PSMN2R0-100SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

diodes

DMN4060SVTQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TSOT26 T&R

diodes

DMTH47M2LFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

diodes

DMTH47M2LFVW-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333