DMTH47M2LFVW-7

מספר מוצר של יצרן:

DMTH47M2LFVW-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMTH47M2LFVW-7-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

תיאור מפורט:

N-Channel 40 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.9W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12993040

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMTH47M2LFVW-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Bulk

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

13.6A (Ta), 49A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

12.3 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

881 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.9W (Ta), 37.5W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount, Wettable Flank

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

DMTH47

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMTH47M2LFVW-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMTH47M2LFVW-7

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMTH4001STLW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101

diodes

DMN2053UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMT15H035SCT

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB

goford-semiconductor

G130N06M

MOSFET N-CH 60V 90A TO-263