מספר מוצר של יצרן:
G1K3N10G
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G1K3N10G-DG
תיאור:
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-89
מלאי:
778 יחידות חדשות מק originales במלאי
12993027
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G1K3N10G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
644 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-89
חבילה / מארז
TO-243AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G1K3N10GTR
4822-G1K3N10GTR
3141-G1K3N10GCT
3141-G1K3N10GDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
G1K3N10G
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
DMTH47M2LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
