מספר מוצר של יצרן:
DMG10N60SCT
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMG10N60SCT-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
מלאי:
12891598
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMG10N60SCT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1587 pF @ 16 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
178W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB (Type TH)
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
DMG10
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFB9N60APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2220
DiGi מספר חלק
IRFB9N60APBF-DG
מחיר ליחידה
1.22
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP10LN80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP10LN80K5-DG
מחיר ליחידה
1.41
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP4N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
232
DiGi מספר חלק
IXTP4N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.12
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP10N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
70
DiGi מספר חלק
IXFP10N60P-DG
מחיר ליחידה
1.73
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP10N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP10N60P-DG
מחיר ליחידה
2.26
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3462(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
2SK4017(Q)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
