מספר מוצר של יצרן:
IXFP10N60P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFP10N60P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
70 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821704
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFP10N60P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
740mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1610 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXFP10
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
IXTP170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
IXTQ30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P