מספר מוצר של יצרן:
IXTN170P10P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTN170P10P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
70 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821710
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTN170P10P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
240 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
890W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXTN170
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
Q7850284
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
IXTQ30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
IXTN200N10L2
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B