TPN11006NL,LQ

מספר מוצר של יצרן:

TPN11006NL,LQ

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPN11006NL,LQ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

מלאי:

10188 יחידות חדשות מק originales במלאי

12891605

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPN11006NL,LQ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSVIII-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

17A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

11.4mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 200µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

23 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2000 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

700mW (Ta), 30W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-TSON Advance (3.1x3.1)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPN11006

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TPN11006NLLQDKR

TPN11006NLLQTR

TPN11006NL,LQ(S

TPN11006NLLQCT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

diodes

DMN3026LVTQ-7

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

diodes

DMN3016LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

diodes

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN