מספר מוצר של יצרן:
AOW11S65
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOW11S65-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12849422
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOW11S65 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
-
סדרה
aMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
646 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
198W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
AOW11
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
785-1524-5
AOW11S65-DG
5202-AOW11S65
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPI65R380C6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
500
DiGi מספר חלק
IPI65R380C6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.92
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STI18N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
229
DiGi מספר חלק
STI18N65M2-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOTF14N50FD
MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
FCH35N60
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
