FDB3632_SB82115

מספר מוצר של יצרן:

FDB3632_SB82115

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDB3632_SB82115-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12849424

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDB3632_SB82115 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12A (Ta), 80A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

110 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

6000 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

310W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

FDB363

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

1

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

Not Applicable

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FCH35N60

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

onsemi

FQPF10N60C

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOT14N50

MOSFET N-CH 500V 14A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF12N65

MOSFET N-CH 650V 12A TO262F