מספר מוצר של יצרן:
STI18N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI18N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
229 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876872
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI18N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
770 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI18
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-1138-STI18N65M2
497-15550-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STL7N80K5
MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
STF34NM60N
MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
