מספר מוצר של יצרן:
SUM110P08-11L-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUM110P08-11L-E3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
תיאור מפורט:
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
44245 יחידות חדשות מק originales במלאי
13006245
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUM110P08-11L-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
110A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
270 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10850 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SUM110
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR186DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
