SIR186DP-T1-RE3
מספר מוצר של יצרן:

SIR186DP-T1-RE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIR186DP-T1-RE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

6171 יחידות חדשות מק originales במלאי
13006287
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIR186DP-T1-RE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Ta), 60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.6V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
37 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1710 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR186

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay

SUM90P10-19L-E3

MOSFET P-CH 100V 90A TO263

vishay

SIHF35N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220

vishay

SIHB6N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK

vishay

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8